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    BISTAR TP8F66M & TP8F66M(H)

    单晶组件：132片
    输出功率：645-665W
    最高效率：21.4%
    功率公差：0 ~ +3%

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    产品介绍

    - 12BB半片电池技术：全新电路设计，更低的内部电流，掺镓硅片，首年衰减＜2%、线性衰减≤0.55%
    - 显著降低热斑风险：独有的电路设计显著降低热斑温度，减少功率损失，提高组件发电量
    - 更低度电成本：提高发电量2%，降低了度电成本
    - 优秀的抗PID性能：通过TUV南德两倍于行业标准的抗PID（电势诱导衰减）测试（85℃/85% RH、192小时）
    - IP68接线盒：高标准等级防水性能、有效抵御恶劣环境
    -?严格的质量管控及高可靠性：内部测试远超行业认证标准

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